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Rohm Semiconductor RQ3E180AJTB

Name: RQ3E180AJTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E180AJTB
Price: 0.32424 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (62 reviews)

MFG-Teilenummer: RQ3E180AJTB

verfügbare Anzahl: 47960 Stücke

Referenzpreis: USD 0.32424

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Hersteller: Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RQ3E180AJTB.pdf

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RQ3E180AJTB Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RQ3E180AJTB
Zukünftige Teilenummer	FT-RQ3E180AJTB
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RQ3E180AJTB Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	18A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 11mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4290pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ3E180AJTB Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RQ3E180AJTB-FT

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