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Rohm Semiconductor RQ3E180BNTB

Name: RQ3E180BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E180BNTB
Price: 0.15624 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (205 reviews)

MFG-Teilenummer: RQ3E180BNTB

verfügbare Anzahl: 51290 Stücke

Referenzpreis: USD 0.15624

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Hersteller: Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: RQ3E180BNTB.pdf

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RQ3E180BNTB Spezifikationen

Herstellerteilenummer	RQ3E180BNTB
Zukünftige Teilenummer	FT-RQ3E180BNTB
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
RQ3E180BNTB Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	39A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-HSMT (3.2x3)
Paket / fall	8-PowerVDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQ3E180BNTB Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	RQ3E180BNTB-FT

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