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Herstellerteilenummer | RQ3G150GNTB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RQ3G150GNTB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RQ3G150GNTB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 39A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 20V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 20W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
Paket / fall | 8-PowerVDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RQ3G150GNTB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RQ3G150GNTB-FT |
R5009FNJTL
Rohm Semiconductor
R5011ANJTL
Rohm Semiconductor
R5013ANJTL
Rohm Semiconductor
R5016ANJTL
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R5016FNJTL
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LCMXO2-1200ZE-2TG144I
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XC3S1400AN-4FGG484C
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10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R3F43C3N
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LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
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5AGTFC7H3F35I3G
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