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Herstellerteilenummer | RS2GAHM2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RS2GAHM2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS2GAHM2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1.5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS2GAHM2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RS2GAHM2G-FT |
ES1LDHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DV M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DV R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DVHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG2JA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG2JAHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DVHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG20D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG20G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG20J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
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A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel