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Herstellerteilenummer | RS3DHM6G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RS3DHM6G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
RS3DHM6G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AB, SMC |
Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS3DHM6G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RS3DHM6G-FT |
MUR460S R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR460S V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2M R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3B R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3J R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3J V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10GC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10JC R7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10JC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel