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Herstellerteilenummer | RS3E095BNGZETB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RS3E095BNGZETB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RS3E095BNGZETB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.6 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SOP |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS3E095BNGZETB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RS3E095BNGZETB-FT |
SI6465DQ-T1-GE3
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DMN2011UTS-13
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A1425A-1PQ100I
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Xilinx Inc.
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A3P250L-VQG100I
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