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Rohm Semiconductor RSJ10HN06TL
- MFG-Teilenummer
- RSJ10HN06TL
- verfügbare Anzahl
- 80780 Stücke
- Referenzpreis
- USD 2.52
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Rohm Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- RSJ10HN06TL.pdf
RSJ10HN06TL Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | RSJ10HN06TL |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-RSJ10HN06TL |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| RSJ10HN06TL Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 202nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| RSJ10HN06TL Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | RSJ10HN06TL-FT |
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