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Rohm Semiconductor RT1C060UNTR

MFG-Teilenummer
RT1C060UNTR
verfügbare Anzahl
61360 Stücke
Referenzpreis
USD 0.11904
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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RT1C060UNTR Spezifikationen

Herstellerteilenummer RT1C060UNTR
Zukünftige Teilenummer FT-RT1C060UNTR
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RT1C060UNTR Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 650mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-TSST
Paket / fall 8-SMD, Flat Lead
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RT1C060UNTR Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RT1C060UNTR-FT

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