Herstellerteilenummer | RU 1BV |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RU 1BV |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
RU 1BV Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 250mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 250mA |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 400ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RU 1BV Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RU 1BV-FT |
RL106-N-2-4-AP
Micro Commercial Co
RL106-TP
Micro Commercial Co
RL107-AP
Micro Commercial Co
RL107-N-0-1-BP
Micro Commercial Co
RL107-N-0-2-BP
Micro Commercial Co
RL107-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
RL107-N-0-4-AP
Micro Commercial Co
RL107-N-2-1-BP
Micro Commercial Co
RL107-N-2-2-BP
Micro Commercial Co
RL107-N-2-3-AP
Micro Commercial Co
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel