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Herstellerteilenummer | RW0S6BBR470FET |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RW0S6BBR470FET |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RW |
RW0S6BBR470FET Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 470 mOhms |
Toleranz | ±1% |
Leistung (Watt) | 0.6W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Current Sense |
Temperaturkoeffizient | ±90ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | 2010 (5025 Metric) |
Supplier Device Package | 2010 |
Größe / Abmessung | 0.202" L x 0.100" W (5.14mm x 2.54mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.140" (3.55mm) |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW0S6BBR470FET Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RW0S6BBR470FET-FT |
HVC4020V5007JET
Ohmite
HVC4020V2505JET
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XC3S400-5FGG320C
Xilinx Inc.
A3P125-VQ100I
Microsemi Corporation
A3P250-VQG100T
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-1
Intel
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
LFXP2-30E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP1K-CB121
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S30F780C7
Intel