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RW1E025RPT2CR Image

Rohm Semiconductor RW1E025RPT2CR

MFG-Teilenummer
RW1E025RPT2CR
verfügbare Anzahl
73010 Stücke
Referenzpreis
USD 0.06192
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
RW1E025RPT2CR.pdf
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RW1E025RPT2CR Spezifikationen

Herstellerteilenummer RW1E025RPT2CR
Zukünftige Teilenummer FT-RW1E025RPT2CR
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
RW1E025RPT2CR Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Not For New Designs
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 700mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 6-WEMT
Paket / fall SOT-563, SOT-666
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RW1E025RPT2CR Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer RW1E025RPT2CR-FT

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