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Herstellerteilenummer | RW1S0BAR020FET |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RW1S0BAR020FET |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RW |
RW1S0BAR020FET Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 20 mOhms |
Toleranz | ±1% |
Leistung (Watt) | 1W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Current Sense |
Temperaturkoeffizient | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | 2512 J-Lead |
Supplier Device Package | SMD J-Lead, Pedestal |
Größe / Abmessung | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.141" (3.58mm) |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR020FET Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RW1S0BAR020FET-FT |
RW2S0DA100RJET
Ohmite
RW2S0DA100RJT
Ohmite
RW2S0DA10R0JET
Ohmite
RW2S0DA150RJ
Ohmite
RW2S0DA150RJET
Ohmite
RW2S0DA15R0JET
Ohmite
RW2S0DA1R00JE
Ohmite
RW2S0DA1R00JET
Ohmite
RW2S0DA24R0JET
Ohmite
RW2S0DA47R0JET
Ohmite
EP1C3T144C6N
Intel
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XC3S200A-4VQG100I
Xilinx Inc.
APA750-FG676I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
5SGXMA5N2F40C2N
Intel
XC7VX330T-1FF1761I
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1GZ
Intel
5SGXEA3H2F35C1N
Intel