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Herstellerteilenummer | RW1S0BAR050FET |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RW1S0BAR050FET |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RW |
RW1S0BAR050FET Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 50 mOhms |
Toleranz | ±1% |
Leistung (Watt) | 1W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Current Sense |
Temperaturkoeffizient | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | 2512 J-Lead |
Supplier Device Package | SMD J-Lead, Pedestal |
Größe / Abmessung | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.141" (3.58mm) |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR050FET Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RW1S0BAR050FET-FT |
RW1S5CAR040JE
Ohmite
RW1S5CAR040JET
Ohmite
RW1S5CAR080J
Ohmite
RW1S5CAR080JE
Ohmite
RW1S5CAR080JET
Ohmite
RW1S5CAR080JT
Ohmite
RW1S5CAR100JE
Ohmite
RW1S5CAR100JET
Ohmite
RW1S5CAR100JT
Ohmite
RW1S5CAR150JE
Ohmite
XC4010XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC7S25-2FTGB196I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484C
Xilinx Inc.
AX1000-2FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
5CGTFD5F5M11C7N
Intel
A42MX09-1TQ176M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX530HH35C4N
Intel