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Herstellerteilenummer | RW1S0BAR200JT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RW1S0BAR200JT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RW |
RW1S0BAR200JT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 200 mOhms |
Toleranz | ±5% |
Leistung (Watt) | 1W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Current Sense |
Temperaturkoeffizient | ±90ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | 2512 J-Lead |
Supplier Device Package | SMD J-Lead, Pedestal |
Größe / Abmessung | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.141" (3.58mm) |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR200JT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RW1S0BAR200JT-FT |
RW1S0BAR750JE
Ohmite
RW1S0BAR027JE
Ohmite
RW1S0BAR075JE
Ohmite
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RW1S0BAR050FE
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RW1S0BA1R00JE
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RW1S0BAR020FE
Ohmite
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XCV200-6FG456C
Xilinx Inc.
5SGXMB6R3F40I3N
Intel
LCMXO3L-6900C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EP1S80F1508C6
Intel
EP4SGX110DF29C2XN
Intel