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Herstellerteilenummer | RW1S0BAR470JET |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RW1S0BAR470JET |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RW |
RW1S0BAR470JET Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 470 mOhms |
Toleranz | ±5% |
Leistung (Watt) | 1W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Current Sense |
Temperaturkoeffizient | ±90ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | 2512 J-Lead |
Supplier Device Package | SMD J-Lead, Pedestal |
Größe / Abmessung | 0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.141" (3.58mm) |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW1S0BAR470JET Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RW1S0BAR470JET-FT |
RW1S5CAR010JT
Ohmite
RW1S5CAR015J
Ohmite
RW1S5CAR015JT
Ohmite
RW1S5CAR030J
Ohmite
RW1S5CAR030JT
Ohmite
RW1S5CAR040JT
Ohmite
RW1S5CAR100J
Ohmite
RW1S5CAR150J
Ohmite
RW1S5CAR150JT
Ohmite
RW1S5CAR200J
Ohmite
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-L1FFG484C
Xilinx Inc.
A3PN060-Z1VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SBC600-1X
Intel
EPF10K130EFI484-2
Intel
EP4SE820H40I3N
Intel
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40E1SG
Intel
EP20K1500EBC652-2X
Intel