Zuhause / Produkte / Widerstände / Chip-Widerstand - Oberflächenmontage / RW2R0DAR010JET
Herstellerteilenummer | RW2R0DAR010JET |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-RW2R0DAR010JET |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RW |
RW2R0DAR010JET Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 10 mOhms |
Toleranz | ±5% |
Leistung (Watt) | 2W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Current Sense |
Temperaturkoeffizient | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | 4524 J-Lead |
Supplier Device Package | SMD J-Lead, Recessed |
Größe / Abmessung | 0.455" L x 0.240" W (11.56mm x 6.10mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.231" (5.87mm) |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2R0DAR010JET Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RW2R0DAR010JET-FT |
RW3R0DBR005J
Ohmite
RW3R0DBR005JET
Ohmite
RW3R0DBR005JT
Ohmite
RW3R0DBR010JET
Ohmite
RW3R0DBR015JE
Ohmite
RW3R0DBR015JET
Ohmite
RW3R0DBR025J
Ohmite
RW3R0DBR025JT
Ohmite
RW3R0DBR036JE
Ohmite
RW3R0DBR036JET
Ohmite
XC7A200T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FG676I
Xilinx Inc.
XC4005XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I3N
Intel
EP2S130F1508C3
Intel
EP3SL150F780C3N
Intel
EP1C20F324I7
Intel