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Herstellerteilenummer | RW2R0DAR050JET |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RW2R0DAR050JET |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RW |
RW2R0DAR050JET Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 50 mOhms |
Toleranz | ±5% |
Leistung (Watt) | 2W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Current Sense |
Temperaturkoeffizient | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | 4524 J-Lead |
Supplier Device Package | SMD J-Lead, Recessed |
Größe / Abmessung | 0.455" L x 0.240" W (11.56mm x 6.10mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.231" (5.87mm) |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW2R0DAR050JET Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RW2R0DAR050JET-FT |
RW3R0DBR050JT
Ohmite
RW3R0DBR075J
Ohmite
RW3R0DBR100JET
Ohmite
RW3R0DBR500J
Ohmite
RW3R0DBR500JT
Ohmite
RW3R0DBR100JE
Ohmite
RW3R0DB100RJT
Ohmite
RW3R0DB10R0J
Ohmite
RW3R0DB10R0JT
Ohmite
RW3R0DB15R0J
Ohmite
A40MX04-2VQ80I
Microsemi Corporation
XCKU15P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
XC3S50A-4VQG100C
Xilinx Inc.
EP3C16F484C6
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
5SEEBH40I2LN
Intel
M2GL090TS-1FGG676T2
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FG144
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290HF35C3
Intel