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Herstellerteilenummer | RW3R0DB100RJET |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RW3R0DB100RJET |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RW |
RW3R0DB100RJET Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 100 Ohms |
Toleranz | ±5% |
Leistung (Watt) | 3W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Current Sense |
Temperaturkoeffizient | ±20ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | 6327 J-Lead |
Supplier Device Package | SMD J-Lead, Recessed |
Größe / Abmessung | 0.625" L x 0.273" W (15.88mm x 6.93mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.231" (5.87mm) |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW3R0DB100RJET Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RW3R0DB100RJET-FT |
TDH35P750RJE
Ohmite
TDH35P75R0JE
Ohmite
TDH35PR150JE
Ohmite
TDH35PR250JE
Ohmite
TDH35PR300JE
Ohmite
TDH35PR470JE
Ohmite
TDH35P100RJ
Ohmite
TDH35P10R0J
Ohmite
TDH35P150RJ
Ohmite
TDH35P15R0J
Ohmite
APA075-TQG144I
Microsemi Corporation
XC7K325T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
EP20K200EFC672-2X
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
5SGXEABN2F45I2
Intel
XC5VFX70T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation