Zuhause / Produkte / Widerstände / Chip-Widerstand - Oberflächenmontage / RW3R0DBR100J
Herstellerteilenummer | RW3R0DBR100J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-RW3R0DBR100J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | RW |
RW3R0DBR100J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 100 mOhms |
Toleranz | ±5% |
Leistung (Watt) | 3W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Current Sense |
Temperaturkoeffizient | ±90ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | 6327 J-Lead |
Supplier Device Package | SMD J-Lead, Recessed |
Größe / Abmessung | 0.625" L x 0.273" W (15.88mm x 6.93mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.231" (5.87mm) |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RW3R0DBR100J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | RW3R0DBR100J-FT |
RW3R5EAR010JET
Ohmite
RW3R5EAR010JT
Ohmite
RW3R5EAR020JE
Ohmite
RW3R5EAR020JET
Ohmite
RW3R5EAR020JT
Ohmite
RW3R5EAR025J
Ohmite
RW3R5EAR025JE
Ohmite
RW3R5EAR025JET
Ohmite
RW3R5EAR025JT
Ohmite
RW3R5EAR030J
Ohmite
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC2V3000-6FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-CQ208B
Microsemi Corporation
AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
AX250-1FG484
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE360H29C2
Intel
10AX032H3F34I2LG
Intel
LFXP6E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation