Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / S1GHE3_A/I
Herstellerteilenummer | S1GHE3_A/I |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S1GHE3_A/I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S1GHE3_A/I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 1.8µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1GHE3_A/I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S1GHE3_A/I-FT |
SE30AFB-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1AFM-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFD-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFJ-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFJHM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3L45-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE30AFGHM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3N50-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF56-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF5N50-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation