Herstellerteilenummer | S1J-F |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-S1J-F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S1J-F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2.5µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | SMA (DO-214AC) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1J-F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S1J-F-FT |
RS 1AV
Sanken
RS 1AV1
Sanken
RS 1BV
Sanken
RS 1BV1
Sanken
RS 4FS
Sanken
RS1GQ-13-F
Diodes Incorporated
RSA39LTE25
Rohm Semiconductor
RU 1
Sanken
RU 1A
Sanken
RU 1AV
Sanken
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel