Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / S1J-JR3
Herstellerteilenummer | S1J-JR3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S1J-JR3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S1J-JR3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 1.5µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1J-JR3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S1J-JR3-FT |
S1K M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2AA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2BA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2BA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2DA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2GA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2JA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK210A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel