Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / S1M-JR3
Herstellerteilenummer | S1M-JR3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S1M-JR3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S1M-JR3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 1.5µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1M-JR3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S1M-JR3-FT |
SK210AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK215A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK215AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK23A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK23AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK24A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK24AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel