Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - RF / S200-50
Herstellerteilenummer | S200-50 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S200-50 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S200-50 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 110V |
Frequenz - Übergang | 1.5MHz ~ 30MHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
Gewinnen | 12dB ~ 14.5dB |
Leistung max | 320W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 30A |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | 55HX |
Supplier Device Package | 55HX |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S200-50 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S200-50-FT |
MS2206A
Microsemi Corporation
MS2207
Microsemi Corporation
MS2210A
Microsemi Corporation
MS2211
Microsemi Corporation
MS2212
Microsemi Corporation
MS2213
Microsemi Corporation
MS2214
Microsemi Corporation
MS2215
Microsemi Corporation
MS2225H
Microsemi Corporation
MS2226H
Microsemi Corporation
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel