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Herstellerteilenummer | S2006DS2RP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S2006DS2RP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S2006DS2RP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Spannung - Aus-Zustand | 200V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 6A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 6mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2006DS2RP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S2006DS2RP-FT |
MCR22-2RL1
ON Semiconductor
MCR22-2RL1G
ON Semiconductor
MCR22-6RLRAG
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MCR22-6RLRP
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MCR22-6RLRPG
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MCR22-8RL1
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NYC008-6JRLREG
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XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
EP1AGX60CF484C6N
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EP1K100FI256-2
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5SGXMBBR3H43C3N
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EP4SE360F35C3
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APA150-TQ100
Microsemi Corporation
A40MX02-3PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45I3SGE2
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EP2SGX60CF780C3
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