Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / S2006LS255
Herstellerteilenummer | S2006LS255 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S2006LS255 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S2006LS255 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Spannung - Aus-Zustand | 200V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 6A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 6mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Isolated Tab, Formed Leads |
Supplier Device Package | TO-220 Isolated Tab |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2006LS255 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S2006LS255-FT |
JAN2N2325AU4
Microsemi Corporation
JAN2N2325S
Microsemi Corporation
JAN2N2325U4
Microsemi Corporation
JAN2N2326
Microsemi Corporation
JAN2N2326A
Microsemi Corporation
JAN2N2326AS
Microsemi Corporation
JAN2N2326AU4
Microsemi Corporation
JAN2N2326S
Microsemi Corporation
JAN2N2326U4
Microsemi Corporation
JAN2N2328
Microsemi Corporation
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
A54SX32A-1TQ100
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP20K600EBC652-3
Intel
EP1S80F1020C7N
Intel