Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / S2006LS259
Herstellerteilenummer | S2006LS259 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S2006LS259 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S2006LS259 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Spannung - Aus-Zustand | 200V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 6A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 6mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Isolated Tab, Formed Leads |
Supplier Device Package | TO-220 Isolated Tab |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2006LS259 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S2006LS259-FT |
JAN2N2325S
Microsemi Corporation
JAN2N2325U4
Microsemi Corporation
JAN2N2326
Microsemi Corporation
JAN2N2326A
Microsemi Corporation
JAN2N2326AS
Microsemi Corporation
JAN2N2326AU4
Microsemi Corporation
JAN2N2326S
Microsemi Corporation
JAN2N2326U4
Microsemi Corporation
JAN2N2328
Microsemi Corporation
JAN2N2328A
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600-4FG676I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP4SE820H40C3N
Intel
EP4SGX530KH40C2N
Intel
XC4VFX60-10FF1152C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation