Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / S2006LS259
Herstellerteilenummer | S2006LS259 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S2006LS259 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S2006LS259 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Spannung - Aus-Zustand | 200V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 6A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 6mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Isolated Tab, Formed Leads |
Supplier Device Package | TO-220 Isolated Tab |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2006LS259 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S2006LS259-FT |
JAN2N2325S
Microsemi Corporation
JAN2N2325U4
Microsemi Corporation
JAN2N2326
Microsemi Corporation
JAN2N2326A
Microsemi Corporation
JAN2N2326AS
Microsemi Corporation
JAN2N2326AU4
Microsemi Corporation
JAN2N2326S
Microsemi Corporation
JAN2N2326U4
Microsemi Corporation
JAN2N2328
Microsemi Corporation
JAN2N2328A
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZQNG68I
Microsemi Corporation
LFEC3E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN010V5-UCG36I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-1SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCV81C8G
Intel
5SGXEABN1F45C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5
Intel
10AX016E3F27E2SG
Intel