Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / S2006LS259
Herstellerteilenummer | S2006LS259 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-S2006LS259 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S2006LS259 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Spannung - Aus-Zustand | 200V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 6A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 6mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Isolated Tab, Formed Leads |
Supplier Device Package | TO-220 Isolated Tab |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2006LS259 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S2006LS259-FT |
JAN2N2325S
Microsemi Corporation
JAN2N2325U4
Microsemi Corporation
JAN2N2326
Microsemi Corporation
JAN2N2326A
Microsemi Corporation
JAN2N2326AS
Microsemi Corporation
JAN2N2326AU4
Microsemi Corporation
JAN2N2326S
Microsemi Corporation
JAN2N2326U4
Microsemi Corporation
JAN2N2328
Microsemi Corporation
JAN2N2328A
Microsemi Corporation
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-1PLG68I
Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23C7
Intel
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGXEA7N2F45I2
Intel
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation