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Herstellerteilenummer | S2008F12 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S2008F12 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S2008F12 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Spannung - Aus-Zustand | 200V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 15mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 5.1A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 8A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 30mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 10µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-202 Long Tab |
Supplier Device Package | TO-202 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2008F12 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S2008F12-FT |
VS-ST730C12L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000L-4FTG256C
Xilinx Inc.
XC2VP20-5FG676I
Xilinx Inc.
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40I3L
Intel
XC7VX980T-1FFG1926C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-2CSG324C
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45I3SGES
Intel