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Herstellerteilenummer | S2008F12 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S2008F12 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S2008F12 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Spannung - Aus-Zustand | 200V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 15mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 5.1A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 8A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 30mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 10µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-202 Long Tab |
Supplier Device Package | TO-202 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2008F12 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S2008F12-FT |
VS-ST730C12L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K10LV-3BQI
Microchip Technology
APA1000-BG456I
Microsemi Corporation
A3P060-VQ100T
Microsemi Corporation
EP4SGX530KH40C3N
Intel
XC7K355T-1FF901C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6U19A7N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel
EP20K100FC324-2N
Intel
EPF10K100EQC240-2
Intel