Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / S2008F1
Herstellerteilenummer | S2008F1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-S2008F1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S2008F1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Spannung - Aus-Zustand | 200V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 1.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 15mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 5.1A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 8A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 30mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 10µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-202 Long Tab |
Supplier Device Package | TO-202 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S2008F1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S2008F1-FT |
VS-ST730C12L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C12L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C14L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C16L1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST730C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-TQ144
Microsemi Corporation
A3PN010-2QNG48I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
5SGSMD5K3F40I4
Intel
10AX090U3F45I2SG
Intel
5AGXBB1D4F35C5N
Intel
EP3SE110F780C4LN
Intel
EP1C4F400C6
Intel
EP1K30QI208-2N
Intel