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Herstellerteilenummer | S29GL512S11WEIV19 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S29GL512S11WEIV19 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | GL-S |
S29GL512S11WEIV19 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NOR |
Speichergröße | 512Mb (32M x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 60ns |
Zugriffszeit | 110ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.65V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S29GL512S11WEIV19 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S29GL512S11WEIV19-FT |
SM28VLT32SKGD3
Texas Instruments
NSEC53K008-IT
Insignis Technology Corporation
NSEC53K016-IT
Insignis Technology Corporation
THGBMHT0C8LBAIG
Toshiba Memory America, Inc.
7005L35G
IDT, Integrated Device Technology Inc
AT28HC256F-90JU
Microchip Technology
70V3599S166DRG
IDT, Integrated Device Technology Inc
NSEC53K004-IT
Insignis Technology Corporation
TH58NVG5S0FTAK0
Toshiba Memory America, Inc.
70T3599S200BCG
IDT, Integrated Device Technology Inc