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Herstellerteilenummer | S4006NS2TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S4006NS2TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S4006NS2TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 400V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 6A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 6mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 110°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S4006NS2TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S4006NS2TP-FT |
TBS7222503DH
Powerex Inc.
TBS7242503DH
Powerex Inc.
TBS7262503DH
Powerex Inc.
VS-110RKI120M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-110RKI120MPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-110RKI120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-110RKI40M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-110RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-110RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-111RKI120
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S500E-5PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
A54SX32A-1TQ100
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP20K600EBC652-3
Intel
EP1S80F1020C7N
Intel