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Herstellerteilenummer | S4006NS2TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S4006NS2TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S4006NS2TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 400V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 6A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 6mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 110°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S4006NS2TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S4006NS2TP-FT |
TBS7222503DH
Powerex Inc.
TBS7242503DH
Powerex Inc.
TBS7262503DH
Powerex Inc.
VS-110RKI120M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-110RKI120MPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-110RKI120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-110RKI40M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-110RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-110RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-111RKI120
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1K30TC144-1N
Intel
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO256C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
APA300-FG256I
Microsemi Corporation
AT6005-2AI
Microchip Technology
EP4CE10E22I7
Intel
LFEC1E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45I2SGE2
Intel
EP2AGX260FF35C5N
Intel