Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / S5JHE3/9AT
Herstellerteilenummer | S5JHE3/9AT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S5JHE3/9AT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S5JHE3/9AT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 5A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2.5µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AB, SMC |
Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S5JHE3/9AT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S5JHE3/9AT-FT |
ES3DHE3J_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3F-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3F-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3FHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3FHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3G-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3G-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3G-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel