Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / S5MHE3/9AT
Herstellerteilenummer | S5MHE3/9AT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S5MHE3/9AT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S5MHE3/9AT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 5A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2.5µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AB, SMC |
Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S5MHE3/9AT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S5MHE3/9AT-FT |
ES3FHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3G-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3G-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3G-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3GHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3GHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES3GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH3B-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel