Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / S6006DS2TP
Herstellerteilenummer | S6006DS2TP |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-S6006DS2TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S6006DS2TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 6A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 6mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6006DS2TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S6006DS2TP-FT |
EC103E2AP
Littelfuse Inc.
EC103E2RP
Littelfuse Inc.
MCR100-003
ON Semiconductor
MCR100-004
ON Semiconductor
MCR100-3G
ON Semiconductor
MCR100-4G
ON Semiconductor
MCR100-6G
ON Semiconductor
MCR100-8G
ON Semiconductor
MCR22-008
ON Semiconductor
MCR22-6G
ON Semiconductor
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
A3P250-FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-2QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
EP1C6F256I7
Intel
5SGSED8K2F40C2LN
Intel
LFXP2-5E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F31I5N
Intel