Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / S6006LS256
Herstellerteilenummer | S6006LS256 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S6006LS256 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S6006LS256 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 6A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 6mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Isolated Tab, Formed Leads |
Supplier Device Package | TO-220 Isolated Tab |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6006LS256 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S6006LS256-FT |
JAN2N2329AS
Microsemi Corporation
JAN2N2329AU4
Microsemi Corporation
JAN2N2329S
Microsemi Corporation
JAN2N2329U4
Microsemi Corporation
JANTX2N2323A
Microsemi Corporation
JANTX2N2323AS
Microsemi Corporation
JANTX2N2323AU4
Microsemi Corporation
JANTX2N2323S
Microsemi Corporation
JANTX2N2323U4
Microsemi Corporation
JANTX2N2324
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
10CL016YF484C8G
Intel
EP3C25U256I7N
Intel
EP4S100G3F45I1
Intel
XC5VLX50-2FFG324C
Xilinx Inc.
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP4SGX290FF35C2X
Intel