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Herstellerteilenummer | S6006NS2RP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S6006NS2RP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S6006NS2RP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 6A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 6mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 110°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6006NS2RP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S6006NS2RP-FT |
VS-180RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80RIA40MPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80RIA40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-1VQG80
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FFG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
XC7K325T-1FFV900I
Xilinx Inc.
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40E3LG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel