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Herstellerteilenummer | S6006NS3TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S6006NS3TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S6006NS3TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 500µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 3.8A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 6A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 8mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 110°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6006NS3TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S6006NS3TP-FT |
VS-181RKI40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-181RKI80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80RIA40MPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80RIA40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-80RIA80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-81RIA120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-81RIA120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
10CL010YE144C6G
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1N
Intel
EPF10K10QI208-4N
Intel