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Herstellerteilenummer | S6010NS2RP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S6010NS2RP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S6010NS2RP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 6.4A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 10A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 6mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 110°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6010NS2RP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S6010NS2RP-FT |
VS-81RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-81RIA40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-81RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-81RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-81RIA80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
S802CS1RP
Littelfuse Inc.
S802CS2RP
Littelfuse Inc.
TYN1212RG
STMicroelectronics
VS-10RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10RIA120M
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600-4FG676I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP4SE820H40C3N
Intel
EP4SGX530KH40C2N
Intel
XC4VFX60-10FF1152C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation