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Herstellerteilenummer | S6010NS3TP |
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Zukünftige Teilenummer | FT-S6010NS3TP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
S6010NS3TP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 600V |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 800mV |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 500µA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.6V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 6.4A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 10A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 8mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 5µA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 83A, 100A |
SCR-Typ | Sensitive Gate |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 110°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S6010NS3TP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | S6010NS3TP-FT |
VS-81RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-81RIA80PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
S802CS1RP
Littelfuse Inc.
S802CS2RP
Littelfuse Inc.
TYN1212RG
STMicroelectronics
VS-10RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10RIA120M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10RIA40M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16RIA100M
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FGG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE22F17C6
Intel
EP4SGX180KF40C3
Intel
A3P060-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC33E-4F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C6N
Intel
EP20K1000CF33C7ES
Intel