Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / SB3100E-G
Herstellerteilenummer | SB3100E-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SB3100E-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SB3100E-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 250pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-201AD, Axial |
Supplier Device Package | DO-201AD |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SB3100E-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SB3100E-G-FT |
CURM102-G
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5SGXEA4K3F35C4N
Intel
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XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
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EP3SE110F780I3N
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HC20K600BC652
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