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Herstellerteilenummer | SBE808-TL-W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SBE808-TL-W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SBE808-TL-W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 2 Independent |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 15V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 540mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 10ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 3µA @ 6V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Supplier Device Package | 5-MCPH |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBE808-TL-W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SBE808-TL-W-FT |
MURD610CTT4
ON Semiconductor
MURD620CT1
ON Semiconductor
NTSB30U100CTG
ON Semiconductor
NTSB30100CTG
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NTSB30U100CTT4G
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MURB1620CTG
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MBRB1545CTG
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MBRB2060CTG
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NTSB20120CTT4G
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MURHB840CTG
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XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
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EP2AGX125EF35C5
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EP4SGX360FF35I3
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5SGSMD3H1F35C1N
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