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Herstellerteilenummer | SCT2H12NZGC11 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SCT2H12NZGC11 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SCT2H12NZGC11 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1700V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 18V |
Vgs (Max) | +22V, -6V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 184pF @ 800V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 35W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3PFM |
Paket / fall | TO-3PFM, SC-93-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SCT2H12NZGC11 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SCT2H12NZGC11-FT |
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