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Rohm Semiconductor SCT2H12NZGC11

MFG-Teilenummer
SCT2H12NZGC11
verfügbare Anzahl
85820 Stücke
Referenzpreis
USD 5
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 1700V 3.7A
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
SCT2H12NZGC11.pdf
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SCT2H12NZGC11 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SCT2H12NZGC11
Zukünftige Teilenummer FT-SCT2H12NZGC11
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
SCT2H12NZGC11 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 900µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 18V
Vgs (Max) +22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 184pF @ 800V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-3PFM
Paket / fall TO-3PFM, SC-93-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT2H12NZGC11 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SCT2H12NZGC11-FT

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