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SCT30N120 Image

STMicroelectronics SCT30N120

MFG-Teilenummer
SCT30N120
verfügbare Anzahl
40710 Stücke
Referenzpreis
USD 25.72
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
SCT30N120.pdf
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SCT30N120 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SCT30N120
Zukünftige Teilenummer FT-SCT30N120
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
SCT30N120 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 20V
Vgs (Max) +25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 400V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 270W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package HiP247™
Paket / fall TO-247-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT30N120 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SCT30N120-FT

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