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STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7

MFG-Teilenummer
SCTH90N65G2V-7
verfügbare Anzahl
62480 Stücke
Referenzpreis
USD 37.7128
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
- SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
SCTH90N65G2V-7.pdf
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SCTH90N65G2V-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SCTH90N65G2V-7
Zukünftige Teilenummer FT-SCTH90N65G2V-7
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
SCTH90N65G2V-7 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 157nC @ 18V
Vgs (Max) +22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 400V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 330W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package H2PAK-7
Paket / fall TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCTH90N65G2V-7 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SCTH90N65G2V-7-FT

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