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STMicroelectronics SCTW90N65G2V

Name: SCTW90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTW90N65G2V
Price: 48.12 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (174 reviews)

MFG-Teilenummer: SCTW90N65G2V

verfügbare Anzahl: 15830 Stücke

Referenzpreis: USD 48.12

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Hersteller: STMicroelectronics

Kurze Beschreibung: - SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SCTW90N65G2V.pdf

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SCTW90N65G2V Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SCTW90N65G2V
Zukünftige Teilenummer	FT-SCTW90N65G2V
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
SCTW90N65G2V Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	157nC @ 18V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3300pF @ 400V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	390W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	HiP247™
Paket / fall	TO-247-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCTW90N65G2V Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SCTW90N65G2V-FT

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