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Herstellerteilenummer | SDE1006A-2R2M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SDE1006A-2R2M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SDE1006A |
SDE1006A-2R2M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 6A |
Strom - Sättigung | 6.6A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 21 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 57.7MHz |
Bewertungen | AEC-Q200 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.228" (5.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDE1006A-2R2M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SDE1006A-2R2M-FT |
SRN2010TA-2R2M
Bourns Inc.
SRN2010TA-4R7M
Bourns Inc.
SRN2010TA-100M
Bourns Inc.
SRN2010TA-150M
Bourns Inc.
SRN2010TA-180M
Bourns Inc.
SRN2010TA-1R5Y
Bourns Inc.
SRN2010TA-3R3M
Bourns Inc.
SRN2010TA-6R8M
Bourns Inc.
SRN2010TA-R47Y
Bourns Inc.
SRN2010TA-R68Y
Bourns Inc.
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel