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Herstellerteilenummer | SDR1005-6R8M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SDR1005-6R8M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SDR1005 |
SDR1005-6R8M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 6.8µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 3.4A |
Strom - Sättigung | 4.5A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 30 mOhm Max |
Q @ Freq | 56 @ 2MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 31MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.500" L x 0.394" W (12.70mm x 10.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.197" (5.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR1005-6R8M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SDR1005-6R8M-FT |
SDR1105-470KL
Bourns Inc.
SDR1105-390KL
Bourns Inc.
SDR1105-680KL
Bourns Inc.
SDR1105-101KL
Bourns Inc.
SDR1105-270ML
Bourns Inc.
SDR1105-100ML
Bourns Inc.
SDR1105-120ML
Bourns Inc.
SDR1105-180ML
Bourns Inc.
SDR1105-560KL
Bourns Inc.
SDR1105-820KL
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel