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Herstellerteilenummer | SDR1006-3R9ML |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SDR1006-3R9ML |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SDR1006 |
SDR1006-3R9ML Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 3.9µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 4.6A |
Strom - Sättigung | 8.4A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 27 mOhm Max |
Q @ Freq | 34 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 48MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.386" L x 0.386" W (9.80mm x 9.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.228" (5.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR1006-3R9ML Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SDR1006-3R9ML-FT |
SRN2512-R33M
Bourns Inc.
SRN2512-R68M
Bourns Inc.
SRN2512-R24M
Bourns Inc.
SRN2512-4R7M
Bourns Inc.
SRN2510-R47M
Bourns Inc.
SRN2510-2R2M
Bourns Inc.
SRN2510-R24M
Bourns Inc.
SRN2510-R68M
Bourns Inc.
SRN2510-1R0M
Bourns Inc.
SRN2012-R47M
Bourns Inc.
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel