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Herstellerteilenummer | SDR1006-6R8ML |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SDR1006-6R8ML |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SDR1006 |
SDR1006-6R8ML Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 6.8µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 3.4A |
Strom - Sättigung | 5.9A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 44 mOhm Max |
Q @ Freq | 33 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 32MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.386" L x 0.386" W (9.80mm x 9.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.228" (5.80mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR1006-6R8ML Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SDR1006-6R8ML-FT |
SRP1040-R75M
Bourns Inc.
SRP1040-R80M
Bourns Inc.
SRN2512-1R0M
Bourns Inc.
SRN2512-1R5M
Bourns Inc.
SRN2512-2R2M
Bourns Inc.
SRN2512-R47M
Bourns Inc.
SRN2512-R33M
Bourns Inc.
SRN2512-R68M
Bourns Inc.
SRN2512-R24M
Bourns Inc.
SRN2512-4R7M
Bourns Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation