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Herstellerteilenummer | SDR1030-2R7M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SDR1030-2R7M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SDR1030 |
SDR1030-2R7M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 2.7µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 3A |
Strom - Sättigung | 4.2A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 28 mOhm Max |
Q @ Freq | 13 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 73.6MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.130" (3.30mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR1030-2R7M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SDR1030-2R7M-FT |
SDR2207-271KL
Bourns Inc.
SDR2207-2R7ML
Bourns Inc.
SDR2207-330KL
Bourns Inc.
SDR2207-331KL
Bourns Inc.
SDR2207-390KL
Bourns Inc.
SDR2207-391KL
Bourns Inc.
SDR2207-3R9ML
Bourns Inc.
SDR2207-471KL
Bourns Inc.
SDR2207-560KL
Bourns Inc.
SDR2207-5R6ML
Bourns Inc.
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel